Toshiba i Infineon će proizvoditi feroelektrični RAM

Tvrtke Toshiba i Infineon zajedno će financirati razvoj tehnologije feroelektrične radne memorije - štedljivih modula za sljedeću generaciju mobilnih telefona

23.12.2000.
15:48
VOYO logo

Investicija je velika oko 60 milijuna dolara, a zaposlit će preko 50 inženjera te treba rezultirati prvim komercijalnim proizvodom do kraja 2002. godine.

Prvi FRAM moduli izrađivat će se u tri varijante - 32, 64 i 128 megabajta kapaciteta pohrane podataka.

Tekst se nastavlja ispod oglasa

Feroelektrični memorijski moduli spadaju u vrstu onih koji čuvaju podatke i onda kad je uređaj u koji su ugrađeni isključen.

Ta tehnologija razvija se već nekoliko godina u laboratorijima raznih japanskih i američkih tvrtki (Hyundai, Symetrix i Celis), a već se koristi u raznim industrijskim uređajima i sigurnosnim sustavima.

Tekst se nastavlja ispod oglasa

Glavna prednost FRAM memorije kod primjene u mobilnim telefonima i drugim prijenosnim uređajima, osim čuvanja podataka i nakon isključivanja, mala je potrošnja energije.

Tekst se nastavlja ispod oglasa
Tekst se nastavlja ispod oglasa
Tekst se nastavlja ispod oglasa
bomba
Gledaj odmah bez reklama
VOYO logo