Toshiba i Infineon će proizvoditi feroelektrični RAM

Investicija je velika oko 60 milijuna dolara, a zaposlit će preko 50 inženjera te treba rezultirati prvim komercijalnim proizvodom do kraja 2002. godine.

Prvi FRAM moduli izrađivat će se u tri varijante - 32, 64 i 128 megabajta kapaciteta pohrane podataka.

Feroelektrični memorijski moduli spadaju u vrstu onih koji čuvaju podatke i onda kad je uređaj u koji su ugrađeni isključen.

Ta tehnologija razvija se već nekoliko godina u laboratorijima raznih japanskih i američkih tvrtki (Hyundai, Symetrix i Celis), a već se koristi u raznim industrijskim uređajima i sigurnosnim sustavima.

Glavna prednost FRAM memorije kod primjene u mobilnim telefonima i drugim prijenosnim uređajima, osim čuvanja podataka i nakon isključivanja, mala je potrošnja energije.